Alle Ergebnisse (137)

Wählen Sie eine Kategorie unten, um die Filteroptionen zu sehen und Ihre Suche einzugrenzen.
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Datenblatt
14 858Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
Datenblatt
4 917Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Datenblatt
1 808Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Datenblatt
2 455Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Datenblatt
2 818Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung 100 V, 40 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2302
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
Datenblatt
665Auf Lager
12 500erwartet ab 27.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
Datenblatt
2 241Auf Lager
12 500erwartet ab 27.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Datenblatt
54Auf Lager
13 201erwartet ab 25.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Datenblatt
12 500erwartet ab 06.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung 100 V, 22 A Half-Bridge Development Board Using EPC23102 GaN ePower Stage IC
Datenblatt
20erwartet ab 02.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung 100 V, 65 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2361
Datenblatt
20erwartet ab 18.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 100V/3A
Datenblatt
10erwartet ab 31.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung 12 V Input, 48 V/500 W Output Dual Phase Synchronous Boost Converter Evaluation Board
Datenblatt
20erwartet ab 11.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Datenblatt
4 300erwartet ab 27.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Datenblatt
12 495erwartet ab 01.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 80V/10A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 350V/4A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 80V/40A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 100V/25A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 200V/8A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 40V/25A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 100V/45A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 80V/25A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 100V/5A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1