EPC8009

EPC
65-EPC8009
EPC8009

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85

Lebenszyklus:
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Menge Stückpreis
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3.65 CHF 3.65 CHF
2.42 CHF 24.20 CHF
1.71 CHF 171.00 CHF
1.60 CHF 800.00 CHF
1.50 CHF 1 500.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
1.36 CHF 3 400.00 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-6
N-Channel
1 Channel
65 V
4 A
130 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
370 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Single
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 3,100 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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