XPT™ GenX4™ Trench-IGBTs von 650 V bis 1.200 V

IXYS Trench 650 V bis 1.200 V XPT™ GenX4™IGBTs werden mit einer proprietären XPT-Dünnwafer-Technologie und einem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess der 4. Generation (GenX4 ™) entwickelt. Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate zeichnen sich durch reduzierte thermischer Widerstand, geringe Energieverluste, schnelles Schalten, niedrige Nachlaufstrom und Hochstromdichten aus. Die Bauteile zeichnen sich durch eine außergewöhnliche Robustheit während des Schaltens und unter Kurzschlussbedingungen aus.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Datenblatt
70Auf Lager
300erwartet ab 06.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
Datenblatt
77Auf Lager
300erwartet ab 06.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
Datenblatt
395Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 340 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in PLUS247
Datenblatt
675Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 470 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
Datenblatt
281Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.23 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube