Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXYA55N65B5

Name: IXYS IXYA55N65B5
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYA55N65B5
Price: 5.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXYA55N65B5

Herst.- Nr.:

IXYA55N65B5

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXYA55N65B5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXYA55N65B5

Auf Lager: 80

Lagerbestand:: 80

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 300

erwartet ab 27.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 28

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 5.63	CHF 5.63
	CHF 4.12	CHF 41.20
	CHF 3.33	CHF 333.00
	CHF 2.96	CHF 1 480.00
	CHF 2.53	CHF 2 530.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-2L
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.3 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	122 A
Pd - Verlustleistung:	395 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trench
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	122 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXYA55N65B5 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

XPT IGBTs der 5. Gen.

IXYS XPT IGBTs der 5. Gen. bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung. Diese Transistoren verfügen über einen niedrigen thermischen Widerstand, der thermische Designprobleme vereinfacht. Die IGBTs der 5. Gen. sind in drei Klassen erhältlich. Transistoren der Klasse A sind für Geräte mit niedriger Geschwindigkeit ausgelegt und für Anwendungen optimiert, die Schaltfrequenzen im Bereich von 0 bis 5 kHz erfordern, während Transistoren der Klasse B für Geräte mit mittlerer Geschwindigkeit und für Anwendungen optimiert sind, die einen Frequenzbereich von 5 kHz bis 30 kHz erfordern. Schließlich sind die Transistoren der Klasse C für Hochgeschwindigkeitsgeräte ausgelegt und eignen sich für Anwendungen, die Schaltfrequenzen im Bereich von 20 kHz bis 60 kHz erfordern. Zu den Applikationen für IXYS XPT IGBTs der 5. Gen. gehören Wechselrichter, PFC-Schaltungen, Lampenvorschaltgeräte, Akkuladegeräte und Schweißmaschinen.

AC-DC-Netzteil

Die AC/DC-Stromversorgung von Littelfuse ist ein häufig verwendeter Baustein in elektronischen Designs. Die Komponenten in diesen Stromversorgungsbausteinen müssen zuverlässig und langlebig sein, und Littelfuse bietet eine Reihe von Produkten, die diese Anforderungen erfüllen. Dieses Portfolio von Komponenten deckt den Überstrom- und Überspannungsschutz, die Leistungsstufe und den Ausgangsschutz ab. Typische Applikationen für Littelfuse AC/DC-Netzteile umfassen Fahrzeuge, Solar, Industrie, Fertigung und mehr.

XPT™ GenX4™ Trench-IGBTs von 650 V bis 1.200 V

IXYS Trench 650 V bis 1.200 V XPT™ GenX4™IGBTs werden mit einer proprietären XPT-Dünnwafer-Technologie und einem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess der 4. Generation (GenX4 ™) entwickelt. Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate zeichnen sich durch reduzierte thermischer Widerstand, geringe Energieverluste, schnelles Schalten, niedrige Nachlaufstrom und Hochstromdichten aus. Die Bauteile zeichnen sich durch eine außergewöhnliche Robustheit während des Schaltens und unter Kurzschlussbedingungen aus.

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs sind die 4. Generation von Trench-IGBTs, die mit der XPT-Dünnwafer-Technologie ausgestattet sind. Diese IGBT-Transistoren mit extrem niedriger V_SAT unterstützen Schaltfrequenzen bis zu 5 kHz und sind für niedrige Leitungsverluste optimiert. Die IXYxN120A IGBTs bieten Vorteile wie hohe Leistungsdichte, einen geringen Gate-Drive-Bedarf und eine Betriebstemperatur von -55 °C bis +175 °C. Diese Transistoren sind jeweils mit einer Spannung von 1.200 V und einem Strom von 55 A oder 85 A in TO-247- und TO-269HV-Gehäusen erhältlich. Die IXYxN120A IGBTs werden in Applikationen wie Wechselrichter, Motorantriebe, PFC-Schaltungen, Akkuladegeräte, Schweißgeräte, Lampenvorschaltgeräte und Einschaltstrom-Schutzschaltungen verwendet.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.