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NVTFS003N04CTAG

Name: onsemi NVTFS003N04CTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTFS003N04CTAG
Price: 1.95 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVTFS003N04CTAG

Herst.- Nr.:

NVTFS003N04CTAG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

Datenblatt:

NVTFS003N04CTAG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.95	CHF 1.95
	CHF 1.24	CHF 12.40
	CHF 0.859	CHF 85.90
	CHF 0.686	CHF 343.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.603	CHF 904.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	103 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	69 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	93 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	47 ns
Serie:	NVTFS003N04C
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

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Datenblatt

NVTFS003N04CTAG Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem R_DS(on) und geringer Kapazität. Der niedrige R_DS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste und die geringe Kapazität reduziert die Treiberverluste. Diese n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und RoHS-konform und verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.