Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NVMYS6D2N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS6D2N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS6D2N06CLTWG
Price: 1.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS6D2N06CLTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS6D2N06CLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V LL LFPAK

Datenblatt:

NVMYS6D2N06CLTWG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NVMYS6D2N06CLTWG

Auf Lager: 8

Lagerbestand:: 8

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 3 000

erwartet ab 04.03.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 29

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.17 CHF	1.17 CHF
	0.842 CHF	8.42 CHF
	0.605 CHF	60.50 CHF
	0.488 CHF	244.00 CHF
	0.445 CHF	445.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.392 CHF	1 176.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	71 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	61 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NVMYS6D2N06CL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NVMYS6D2N06CLTWG Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

LFPAK4 Automotive-Leistungs-MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive-Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte n-Einkanal-MOSFETs mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm, die sich ideal für kompakte Designs eignen. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Gate-Ladung und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Automobilstandard-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei, RoHS-konform und verfügen über einen großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.