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NVMYS5D3N04CTWG

Name: onsemi NVMYS5D3N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS5D3N04CTWG
Price: 0.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS5D3N04CTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS5D3N04CTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

Datenblatt:

NVMYS5D3N04CTWG Datenblatt

ECAD Model:

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	0.696 CHF	6.96 CHF
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	0.408 CHF	204.00 CHF
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.338 CHF	1 014.00 CHF
	0.331 CHF	1 986.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	71 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	16 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	50 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	53 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	72 ns
Serie:	NVMYS5D3N04C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	75 mg

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Datenblatt

NVMYS5D3N04CTWG Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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