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NVMYS011N04CTWG

Name: onsemi NVMYS011N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS011N04CTWG
Price: 1.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS011N04CTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS011N04CTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

Datenblatt:

NVMYS011N04CTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	1.16 CHF	1.16 CHF
	0.73 CHF	7.30 CHF
	0.484 CHF	48.40 CHF
	0.378 CHF	189.00 CHF
	0.344 CHF	344.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.338 CHF	1 014.00 CHF
	0.281 CHF	1 686.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	7.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	28 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	111 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Serie:	NVMYS011N04C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	75 mg

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Datenblatt

NVMYS011N04CTWG Datenblatt

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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