NVMJS2D5N06CLTWG

onsemi
863-NVMJS2D5N06CLTWG
NVMJS2D5N06CLTWG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

Lebenszyklus:
NRND:
Nicht empfohlen für neue Designs.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 40

Lagerbestand:
40 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
19 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 2.12 CHF 2.12
CHF 1.37 CHF 13.70
CHF 0.916 CHF 91.60
CHF 0.736 CHF 368.00
CHF 0.686 CHF 686.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.621 CHF 1 863.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
60 V
31 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
52 nC
- 55 C
+ 175 C
113 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 286 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 55 ns
Serie: NVMJS2D5N06CL
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
Gewicht pro Stück: 99.445 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

LFPAK8 Automotive-Leistungs-MOSFETs

onsemi LFPAK8 Automotive-Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte n-Einkanal-MOSFETs mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm, die sich ideal für kompakte Designs eignen. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Gate-Ladung und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Automobilstandard-Leistungs-MOSFET sind bleifrei, RoHS-konform und verfügen über einen großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.