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NVMFWS2D1N08XT1G

Name: onsemi NVMFWS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFWS2D1N08XT1G
Price: 2.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFWS2D1N08XT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS2D1N08XT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFWS2D1N08XT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	0.996 CHF	996.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.996 CHF	1 494.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	181 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	148 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	135 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	NVMFS2D1N08X
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns

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Datenblatt

NVMFWS2D1N08XT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(ON), eine geringe Q_G und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.