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NTTFD9D0N06HLTWG

Name: onsemi NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD9D0N06HLTWG
Price: 2.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFD9D0N06HLTWG

Herst.- Nr.:

NTTFD9D0N06HLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

Datenblatt:

NTTFD9D0N06HLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 1.02	CHF 102.00
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	CHF 0.758	CHF 758.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.707	CHF 2 121.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-12
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	13.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	26 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTTFD9D0N06HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTTFD9D0N06HLTWG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Kanal MOSFETs

Die NTTFD4D0N04HL und NTTFD9D0N06HL n-Kanal-MOSFETs von onsemi sind symmetrische POWERTRENCH®-Leistungsclip-Zweikanal-MOSFETs in einem WQFN12-Gehäuse. Diese Bauteile umfassen zwei spezialisierte n-Kanal-MOSFETs in einem Dual-Gehäuse. Der Schaltknotenpunkt wurde intern verbunden, um ein einfaches Platzieren und Routing der synchronen Abwärtswandler zu ermöglichen. Der Steuerungs-MOSFET (Q2) und der synchrone MOSFET (Q1) sind für einen optimalen Leistungswirkungsgrad ausgelegt. Die NTTFD4D0N04HL und NTTFD9D0N06HL n-Kanal-MOSFETs von onsemi bieten einen niedrigen R_DS(on), einen niedrigen Q_G und eine geringe Kapazität und niedrige Leitungs-/Treiberverluste. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Universal-Punktlast, einphasige Motorantriebe, Computer und Kommunikation.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.