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NTTFD4D0N04HLTWG

Name: onsemi NTTFD4D0N04HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD4D0N04HLTWG
Price: 1.52 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFD4D0N04HLTWG

Herst.- Nr.:

NTTFD4D0N04HLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

Datenblatt:

NTTFD4D0N04HLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.52	CHF 1.52
	CHF 1.19	CHF 11.90
	CHF 0.891	CHF 89.10
	CHF 0.755	CHF 377.50
	CHF 0.743	CHF 743.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.674	CHF 2 022.00
	CHF 0.653	CHF 3 918.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-12
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	26 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTTFD4D0N04HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTTFD4D0N04HLTWG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Kanal MOSFETs

Die NTTFD4D0N04HL und NTTFD9D0N06HL n-Kanal-MOSFETs von onsemi sind symmetrische POWERTRENCH®-Leistungsclip-Zweikanal-MOSFETs in einem WQFN12-Gehäuse. Diese Bauteile umfassen zwei spezialisierte n-Kanal-MOSFETs in einem Dual-Gehäuse. Der Schaltknotenpunkt wurde intern verbunden, um ein einfaches Platzieren und Routing der synchronen Abwärtswandler zu ermöglichen. Der Steuerungs-MOSFET (Q2) und der synchrone MOSFET (Q1) sind für einen optimalen Leistungswirkungsgrad ausgelegt. Die NTTFD4D0N04HL und NTTFD9D0N06HL n-Kanal-MOSFETs von onsemi bieten einen niedrigen R_DS(on), einen niedrigen Q_G und eine geringe Kapazität und niedrige Leitungs-/Treiberverluste. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Universal-Punktlast, einphasige Motorantriebe, Computer und Kommunikation.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.