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NTP7D3N15MC

Name: onsemi NTP7D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP7D3N15MC
Price: 3.73 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-NTP7D3N15MC

Herst.- Nr.:

NTP7D3N15MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220

Datenblatt:

NTP7D3N15MC Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	101 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	166 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTP7D3N15MC
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTP7D3N15MC Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench® -MOSFETs von Onsemi sind n-Kanal und bieten optimierte Schaltleistung. Dieser MOSFET verfügt über eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Body-Diode für ein besonders geräuscharmes Schalten. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringeren Schaltspitzen und geringerer elektromoagnetischer Störung (EMI). Sie verbessern die Umschaltungs-Gütezahl (FOM). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung für ATX-/Server-/Telekommunikations-PSU, Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Mikro-Solarwechselrichter.