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NTMYS006N08LHTWG

Name: onsemi NTMYS006N08LHTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMYS006N08LHTWG
Price: 2.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMYS006N08LHTWG

Herst.- Nr.:

NTMYS006N08LHTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 80V LL LFPAK

Datenblatt:

NTMYS006N08LHTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	2.74 CHF	2.74 CHF
	2.54 CHF	25.40 CHF
	1.84 CHF	184.00 CHF
	1.54 CHF	770.00 CHF
	1.43 CHF	1 430.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.888 CHF	2 664.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	77 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	89 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	SIngle
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	99 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	125 ns
Serie:	NTMYS006N08HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns

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Datenblatt

NTMYS006N08LHTWG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(ON), eine geringe Q_G und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.