NTMFSC4D2N10MC

onsemi
863-NTMFSC4D2N10MC
NTMFSC4D2N10MC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm

ECAD Model:
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CHF 1.64 CHF 820.00
CHF 1.63 CHF 1 630.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 1.42 CHF 4 260.00

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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
100 V
116 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
122 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.2 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 18 ns
Serie: NTMFSC4D2N10MC
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTMFSC PowerTrench® MOSFETs

Die onsemi PowerTrench®-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer hervorragenden Schaltleistung durch einen extrem niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Umgebungswiderstand (θJA). Dies wird aufgrund der Fortschritte bei sowohl Silizium- als auch Dual Cool™-Gehäusetechnologien ermöglicht. Die PowerTrench®-MOSFETs werden in einem zu 100 % UIL-geprüften und RoHS-konformen DFN-8-Gehäuse geliefert. Zu den typischen Applikationen gehören synchrone Gleichrichter, AC/DC-Netzteile, primärer MOSFET auf isoliertem 48-V-Wandler und isolierte DC/DC-Wandler.

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. Onsemi stellt eine breite Palette von VFD Halbleiter Bauelementen her, einschließlich Gate-Treiber. MOSFETs IGBTs und EliteSiC.