Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

NTMFS0D9N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D9N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D9N04XMT1G
Price: 2.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS0D9N04XMT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS0D9N04XMT1G

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Lagerbestand:: 2 852 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 43 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2.27 CHF	2.27 CHF
	1.45 CHF	14.50 CHF
	0.987 CHF	98.70 CHF
	0.817 CHF	408.50 CHF
	0.764 CHF	764.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.739 CHF	1 108.50 CHF
	0.714 CHF	2 142.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	273 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	900 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	61 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	121 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	6.55 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	160 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.59 ns
Serie:	NTMFS0D9N04XMT1G
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24.3 ns