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NTMFS0D9N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D9N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D9N04XLT1G
Price: 2.54 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS0D9N04XLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS0D9N04XLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10S IN S08FL PACKAGE

Datenblatt:

NTMFS0D9N04XLT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	278 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	900 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	70 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	178 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	NTMFS0D9N04XL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	53 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns

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Datenblatt

NTMFS0D9N04XLT1G Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

40-V-Leistungs-MOSFETs

onsemi 40-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über eine Standard-Gate-Pegeltechnologie und einen erstklassigen On-Widerstand. Die MOSFETs von onsemi sind für Motortreiber-Applikationen ausgelegt. Die Bauteile reduzieren Leitungs- und Antriebsverluste wirksam mit niedrigem On-Widerstand und reduzierter Gate-Ladung. Darüber hinaus bieten die MOSFETs eine ausgezeichnete Weichheitskontrolle für die Sperrverzögerung der Body-Dioden, wodurch die Belastung der Spannungsspitzen wirksam reduziert wird, ohne dass eine zusätzliche Snubber-Schaltung in Applikationen erforderlich ist.