Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTHL120N60S5Z

Name: onsemi NTHL120N60S5Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL120N60S5Z
Price: 5.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTHL120N60S5Z

Herst.- Nr.:

NTHL120N60S5Z

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SUPERFET5 EASY 120MOHM

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTHL120N60S5Z Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTHL120N60S5Z

Auf Lager: 783

Lagerbestand:: 783 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 23 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	5.81 CHF	5.81 CHF
	3.93 CHF	39.30 CHF
	2.86 CHF	286.00 CHF
	2.75 CHF	2 475.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	28 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	120 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	40 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	160 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	SIngle
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	17.1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	NTHL120N60S5Z
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	78 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTHL120N60S5Z Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET®-V-MOSFETs

Die SuperFET^® -V-MOSFETs von onsemi sind Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFETs der 5. Generation. Diese Bauteile liefern eine erstklassige Gütezahl (FoMs) (R_DS(ON)· Q_G und R_DS(ON)· E_OSS) zur Verbesserung des Wirkungsgrads nicht nur bei schwerer Last sondern auch bei geringer Last. Die 600-V-SuperFET-V-MOSFETs bieten Designvorteile durch reduzierte Leitungs- und Schaltverluste und unterstützen gleichzeitig extreme MOSFET-dV_DS/dt-Werte bei 120 V/ns. Die schnelle SuperFET-V-MOSFET-Baureihe trägt zur Maximierung des Systemwirkungsgrads und der Leistungsdichte bei. Die SuperFET-V-MOSFET-Easy Drive-Baureihe kombiniert eine hervorragende Schaltleistung ohne die Benutzerfreundlichkeit für harte und weiche Schalttopologien zu beeinträchtigen. Zu den typischen Applikationen gehören Telekommunikation, Cloud-System und Industrie.