Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTD280N60S5Z

Name: onsemi NTD280N60S5Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTD280N60S5Z
Price: 2.54 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTD280N60S5Z

Herst.- Nr.:

NTD280N60S5Z

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SF5 600V EASY ZENER 280MO

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTD280N60S5Z Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTD280N60S5Z

Auf Lager: 2 351

Lagerbestand:: 2 351 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 22 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2.54 CHF	2.54 CHF
	1.66 CHF	16.60 CHF
	1.15 CHF	115.00 CHF
	0.97 CHF	485.00 CHF
	0.932 CHF	932.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.907 CHF	2 267.50 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	280 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	17.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 170 C
Pd - Verlustleistung:	89 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4.53 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.27 ns
Serie:	NTD280N60S5Z
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15.5 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTD280N60S5Z Datenblatt

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET®-V-MOSFETs

Die SuperFET^® -V-MOSFETs von onsemi sind Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFETs der 5. Generation. Diese Bauteile liefern eine erstklassige Gütezahl (FoMs) (R_DS(ON)· Q_G und R_DS(ON)· E_OSS) zur Verbesserung des Wirkungsgrads nicht nur bei schwerer Last sondern auch bei geringer Last. Die 600-V-SuperFET-V-MOSFETs bieten Designvorteile durch reduzierte Leitungs- und Schaltverluste und unterstützen gleichzeitig extreme MOSFET-dV_DS/dt-Werte bei 120 V/ns. Die schnelle SuperFET-V-MOSFET-Baureihe trägt zur Maximierung des Systemwirkungsgrads und der Leistungsdichte bei. Die SuperFET-V-MOSFET-Easy Drive-Baureihe kombiniert eine hervorragende Schaltleistung ohne die Benutzerfreundlichkeit für harte und weiche Schalttopologien zu beeinträchtigen. Zu den typischen Applikationen gehören Telekommunikation, Cloud-System und Industrie.