NTB011N15MC

onsemi
863-NTB011N15MC
NTB011N15MC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PTNG 150V N-FET D2PAK

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
75.4 A
10.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
37 nC
+ 175 C
3.75 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: NTB011N15MC
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi sind N-Kanal-MOSFETs, die Einschaltwiderstand minimieren und eine überragende Schaltleistung mit der erstklassigen Soft-Body-Diode bieten. Dieser MOSFET bietet im Vergleich zu anderen MOSFETs eine niedrigere Qrr. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verringern Schaltgeräusche/elektromoagnetische Störung (EMI). Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, sowie über eine niedrige QG und Kapazität, um die Verluste im Treiber zu reduzieren. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench-MOSFETs kommen in einem kleinen PQFN8-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.