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IXYP60N65A5

Name: IXYS IXYP60N65A5
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYP60N65A5
Price: 4.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXYP60N65A5

Herst.- Nr.:

IXYP60N65A5

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220

Datenblatt:

IXYP60N65A5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.35 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	134 A
Pd - Verlustleistung:	395 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	60 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT

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Datenblatt

IXYP60N65A5 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

XPT™-GenX5™-Trench-IGBTs

IXYS XPT™-GenX5™-Trench-IGBTs sind mit einer proprietären XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und einem hochmodernen Trench-IGBT-Verfahren der 5. Generation (GenX5) ausgelegt. Diese Bauteile verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand, geringe Energieverluste, ein schnelles Schalten, einen niedrigen Nachlaufstrom und hohe Stromdichten. Die XPT-GenX5-IGBTs verfügen über quadratische Sperrvorspannungs-sicheren Betriebsbereiche (RBSOA) und eine Durchschlagspannung von 650 V, wodurch sie sich hervorragend für hartschaltende Applikationen ohne Snubber eignen. Darüber hinaus enthalten diese IGBTs einen positiven Kollektor-zu-Emitter-Temperaturkoeffizient der Spannung, der Designern den Einsatz mehrerer parallelgeschalteten Bauteilen zur Erfüllung der Hochstromanforderungen ermöglicht. Die niedrige Gate-Ladung dieser Bauteile trägt zur Reduzierung der Gate-Treiber-Anforderungen und Schaltverluste bei.

AC-DC-Netzteil

Die AC/DC-Stromversorgung von Littelfuse ist ein häufig verwendeter Baustein in elektronischen Designs. Die Komponenten in diesen Stromversorgungsbausteinen müssen zuverlässig und langlebig sein, und Littelfuse bietet eine Reihe von Produkten, die diese Anforderungen erfüllen. Dieses Portfolio von Komponenten deckt den Überstrom- und Überspannungsschutz, die Leistungsstufe und den Ausgangsschutz ab. Typische Applikationen für Littelfuse AC/DC-Netzteile umfassen Fahrzeuge, Solar, Industrie, Fertigung und mehr.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.