IXYK140N120A4

IXYS
747-IXYK140N120A4
IXYK140N120A4

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu IXYS IXYK140N120A4

Auf Lager: 2 921

Lagerbestand:
2 921 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
32 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 35.62 CHF 35.62
CHF 25.64 CHF 256.40

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
IXYS
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-264-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
480 A
1.5 kW
- 55 C
+ 175 C
Trench
Tube
Marke: IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.: 480 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 25
Unterkategorie: IGBTs
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

XPT™ GenX4™ Trench-IGBTs von 650 V bis 1.200 V

IXYS Trench 650 V bis 1.200 V XPT™ GenX4™IGBTs werden mit einer proprietären XPT-Dünnwafer-Technologie und einem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess der 4. Generation (GenX4 ™) entwickelt. Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate zeichnen sich durch reduzierte thermischer Widerstand, geringe Energieverluste, schnelles Schalten, niedrige Nachlaufstrom und Hochstromdichten aus. Die Bauteile zeichnen sich durch eine außergewöhnliche Robustheit während des Schaltens und unter Kurzschlussbedingungen aus.

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs sind die 4. Generation von Trench-IGBTs, die mit der XPT-Dünnwafer-Technologie ausgestattet sind. Diese IGBT-Transistoren mit extrem niedriger VSAT unterstützen Schaltfrequenzen bis zu 5 kHz und sind für niedrige Leitungsverluste optimiert. Die IXYxN120A IGBTs bieten Vorteile wie hohe Leistungsdichte, einen geringen Gate-Drive-Bedarf und eine Betriebstemperatur von -55 °C bis +175 °C. Diese Transistoren sind jeweils mit einer Spannung von 1.200 V und einem Strom von 55 A oder 85 A in TO-247- und TO-269HV-Gehäusen erhältlich. Die IXYxN120A IGBTs werden in Applikationen wie Wechselrichter, Motorantriebe, PFC-Schaltungen, Akkuladegeräte, Schweißgeräte, Lampenvorschaltgeräte und Einschaltstrom-Schutzschaltungen verwendet.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.