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IXXH80N65B4

IXYS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXXH80N65B4

Herst.- Nr.:

IXXH80N65B4

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT

Datenblatt:

IXXH80N65B4 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247AD-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	160 A
Pd - Verlustleistung:	625 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trench
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	80 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT
Gewicht pro Stück:	4,500 g

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Datenblatt

IXXH80N65B4 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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