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FDMS86300DC

Name: onsemi FDMS86300DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86300DC
Price: 3.1 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMS86300DC

Herst.- Nr.:

FDMS86300DC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDMS86300DC Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.10	CHF 3.10
	CHF 2.02	CHF 20.20
	CHF 1.58	CHF 158.00
	CHF 1.32	CHF 660.00
	CHF 1.13	CHF 1 130.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.07	CHF 3 210.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DualCool-56-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.4 V
Qg - Gate-Ladung:	72 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	60 s
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDMS86300DC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	N-Channel
Typische Einschaltverzögerungszeit:	31 ns
Gewicht pro Stück:	90 mg

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Datenblatt

FDMS86300DC Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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