FDME1034CZT

onsemi
512-FDME1034CZT
FDME1034CZT

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 20V Complementary PowerTrench

ECAD Model:
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CHF 0.536 CHF 5.36
CHF 0.351 CHF 35.10
CHF 0.271 CHF 135.50
CHF 0.224 CHF 224.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
CHF 0.20 CHF 1 000.00
CHF 0.183 CHF 1 830.00
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UMLP-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
3.4 A
66 mOhms, 142 mOhms
- 8 V, 8 V
700 mV, 600 mV
3 nC, 5.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.3 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 1.7 ns, 16 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 9 S, 7 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2 ns, 4.8 ns
Serie: FDME1034CZT
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 15 ns, 33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4.5 ns, 4.7 ns
Gewicht pro Stück: 25.200 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542310399
ECCN:
EAR99

FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The  FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.