FDME1024NZT

onsemi
512-FDME1024NZT
FDME1024NZT

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench

ECAD Model:
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0.524 CHF 5.24 CHF
0.343 CHF 34.30 CHF
0.266 CHF 133.00 CHF
0.219 CHF 219.00 CHF
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UMLP-6
N-Channel
2 Channel
20 V
3.4 A
55 mOhms
- 8 V, 8 V
700 mV
3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.3 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: TH
Land der Verbreitung: US
Ursprungsland: TH
Abfallzeit: 1.7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 9 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2 ns
Serie: FDME1024NZT
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4.5 ns
Gewicht pro Stück: 25,200 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542310399
ECCN:
EAR99

FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The  FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.