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FDMC86261P

Name: onsemi FDMC86261P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC86261P
Price: 2.08 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMC86261P

Herst.- Nr.:

FDMC86261P

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDMC86261P Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.08	CHF 2.08
	CHF 1.27	CHF 12.70
	CHF 0.90	CHF 90.00
	CHF 0.761	CHF 380.50
	CHF 0.751	CHF 751.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.646	CHF 1 938.00
	CHF 0.625	CHF 3 750.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-33-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	269 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	FDMC86261P
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	165.330 mg

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Datenblatt

FDMC86261P Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Fairchild Mittelspannungs-p-Kanal-MOSFETs

Fairchild Mittelspannungs-p-Kanal-MOSFETs sind 100V und 150V p-Kanal-MOSFETs, die branchenweit unübertroffene R_DS-ON- und Q_g-Werte bieten. Jedes dieser Bauteile wird mit Hilfe von Fairchilds moderner PowerTrench®-Technologie hergestellt. Dieser High-Density-Prozess ist speziell dafür zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren und für eine überlegene Schaltleistung optimiert. Typische Anwendungen sind High-Side-Schaltung bei Motorantrieben und Beleuchtung, Active Clamp in DC-DC und Lastschalter.
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n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor werden unter Verwendung von Fairchild Semiconductors fortschrittlichem PowerTrench®-Prozess produziert, der maßgeschneidert wurde, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch die erstklassige Schaltleistung aufrecht zu erhalten. Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor sind in einer Auswahl von Drain-Source-Spannungs-Spezifikationen zwischen 30V und 250V verfügbar.

Der FDD10N20LZ und der FDD7N25LZ sind Leistungsfeldeffekt-Transistoren vom n-Kanal-Anreicherungstyp, die unter Verwendung von Fairchilds geschützter Planar-Streifen-DMOS-Technologie produziert werden. Diese fortschrittliche Technologie wurde maßgeschneidert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und eine erstklassige Schaltleistung sowie eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Stromstöße im Avalanche- und Kommutierungsmodus zu bieten. Diese Geräte eignen sich sehr gut für hocheffiziente Schaltnetzteile und aktive Leistungsfaktorkorrektur.

Der FDMC6296 ist ein einzelner n-Kanal-MOSFET in einem thermisch effizienten MicroFET-Gehäuse, das speziell entworfen wurde, um gut in Point-of-Load-Wandlern zu arbeiten. Dieser Baustein liefert ein optimiertes Gleichgewicht zwischen R_DS(on) und der Gate-Ladung und kann so effektiv als „Hochseiten“-Steuerschalter oder „Niedrig-Seiten“-Synchron-Gleichrichter verwendet werden.
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