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NVMJS0D9N04CLTWG

Name: onsemi NVMJS0D9N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS0D9N04CLTWG
Price: 2.79 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMJS0D9N04CLTWG

Herst.- Nr.:

NVMJS0D9N04CLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V LL LFPAK

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVMJS0D9N04CLTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.79 CHF	2.79 CHF
	1.83 CHF	18.30 CHF
	1.27 CHF	127.00 CHF
	1.11 CHF	555.00 CHF
	1.09 CHF	1 090.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.03 CHF	3 090.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-8
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NVMJS0D9N04CL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NVMJS0D9N04CLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.