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NVMFWS004N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS004N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N10MCT1G
Price: 2.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFWS004N10MCT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS004N10MCT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL

Datenblatt:

NVMFWS004N10MCT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	2.83 CHF	2.83 CHF
	1.85 CHF	18.50 CHF
	1.30 CHF	130.00 CHF
	1.13 CHF	565.00 CHF
	1.05 CHF	1 050.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	1.05 CHF	1 575.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	138 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	164 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	120 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	NVMFWS004N10MC
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	39 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

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Datenblatt

NVMFWS004N10MCT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS004N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi NVMFWS004N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs bieten einen Dauersenkenstrom von 138 A, einen 3,9 mΩ bei 10 V R_{DS (ON)} und eine U_DS von 100 V. Der NVMFWS004N10MC ist in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.