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NVMFS5H610NLWFT1G

Name: onsemi NVMFS5H610NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFS5H610NLWFT1G
Price: 1.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFS5H610NLWFT1G

Herst.- Nr.:

NVMFS5H610NLWFT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 60V LOW COSS

Datenblatt:

NVMFS5H610NLWFT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	0.34 CHF	340.00 CHF
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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NVMFS5H610NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NVMFS5H610NLWFT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.