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NVMFS4C306NET1G

Name: onsemi NVMFS4C306NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C306NET1G
Price: 1.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS4C306NET1G

Herst.- Nr.:

NVMFS4C306NET1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs TRENCH 30V NCH

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFS4C306NET1G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 1.03	CHF 1.03
	CHF 0.645	CHF 6.45
	CHF 0.427	CHF 42.70
	CHF 0.337	CHF 168.50
	CHF 0.303	CHF 303.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.277	CHF 415.50
	CHF 0.252	CHF 756.00
	CHF 0.24	CHF 2 160.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	71 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	26 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	36.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	28 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns

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Datenblatt

NVMFS4C306NET1G Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.