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NVMFS4C305NET1G-YE

Name: onsemi NVMFS4C305NET1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFS4C305NET1GYE
Price: 1.06 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFS4C305NET1GYE

Herst.- Nr.:

NVMFS4C305NET1G-YE

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFS4C305NET1G-YE Datenblatt

ECAD Model:

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	0.666 CHF	6.66 CHF
	0.441 CHF	44.10 CHF
	0.345 CHF	172.50 CHF
	0.313 CHF	313.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.286 CHF	429.00 CHF
	0.273 CHF	819.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	127 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	79 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	NVMFS4C05N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns

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Datenblatt

NVMFS4C305NET1G-YE Datenblatt

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.