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NVMFD5C680NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C680NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C680NLWFT
Price: 2.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFD5C680NLWFT

Herst.- Nr.:

NVMFD5C680NLWFT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V LL S08FL DS

Datenblatt:

NVMFD5C680NLWFT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	1.33 CHF	13.30 CHF
	0.904 CHF	90.40 CHF
	0.746 CHF	373.00 CHF
	0.612 CHF	612.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.612 CHF	918.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-Dual-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23 mOhms, 23 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	19 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	23 ns, 23 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S, 50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns, 25 ns
Serie:	NVMFD5C680NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns, 13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.4 ns, 6.4 ns
Gewicht pro Stück:	161,193 mg

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Datenblatt

NVMFD5C680NLWFT1G Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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