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NVMFD5C470NLET1G

Name: onsemi NVMFD5C470NLET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C470NLET1G
Price: 1.12 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFD5C470NLET1G

Herst.- Nr.:

NVMFD5C470NLET1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V LL S08FL DS

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFD5C470NLET1G Datenblatt

ECAD Model:

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	1.12 CHF	1.12 CHF
	0.701 CHF	7.01 CHF
	0.465 CHF	46.50 CHF
	0.365 CHF	182.50 CHF
	0.316 CHF	316.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.292 CHF	438.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	46 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	36 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	55 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.3 ns

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Datenblatt

NVMFD5C470NLET1G Datenblatt

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFD5C Leistungs-MOSFETs

onsemicondutor NVD5C Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und eignen sich für Automobil-Applikationen. Sie bieten einen niedrigen ON-Widerstand zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind zu 100 % Avalanche-getestet und sind mit Flankenbenetzung für eine verbesserte optische Überprüfung erhältlich.