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FQPF7N65C

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FQPF7N65C

Herst.- Nr.:

FQPF7N65C

Herst.:

onsemi

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.4 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	36 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	52 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	QFET
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	55 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	50 ns
Serie:	FQPF7N65C
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Artikel # Aliases:	FQPF7N65C_NL
Gewicht pro Stück:	2 g