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FDP33N25

Name: onsemi FDP33N25
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP33N25
Price: 2.47 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDP33N25

Herst.- Nr.:

FDP33N25

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	250 V
Id - Drain-Gleichstrom:	33 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	94 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	235 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	120 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	26.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	230 ns
Serie:	FDP33N25
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	35 ns
Gewicht pro Stück:	2 g