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FDP2532

Name: onsemi FDP2532
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP2532
Price: 4.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDP2532

Herst.- Nr.:

FDP2532

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench

Datenblatt:

FDP2532 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	79 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	107 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	310 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	FDP2532
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	39 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Artikel # Aliases:	FDP2532_NL
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

FDP2532 Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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