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FDP22N50N

Name: onsemi FDP22N50N
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP22N50N
Price: 3.93 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDP22N50N

Herst.- Nr.:

FDP22N50N

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	220 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	312.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	UniFET
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	35 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	50 ns
Serie:	FDP22N50N
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	2 g