FDP047N10

512-FDP047N10
FDP047N10

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
164 A
4.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
210 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 244 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 386 ns
Serie: FDP047N10
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 344 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 174 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99