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FDMS86200DC

Name: onsemi FDMS86200DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86200DC
Price: 4.62 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMS86200DC

Herst.- Nr.:

FDMS86200DC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDMS86200DC Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4.62 CHF	4.62 CHF
	3.09 CHF	30.90 CHF
	2.21 CHF	221.00 CHF
	2.00 CHF	1 000.00 CHF
	1.92 CHF	1 920.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.85 CHF	5 550.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DualCool-56-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	28 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.3 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	32 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	FDMS86200DC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Gewicht pro Stück:	90 mg

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Datenblatt

FDMS86200DC Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Die Energieinfrastrukturlösungen von onsemi adressieren die Landschaft für Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, die sich schnell entwickelt, um die von der Regierungspolitik gesetzten Ziele zu erfüllen und den Verbrauch zu erhöhen. Erhöhte Effizienzziele, Reduzierung der CO2-Emissionen und der Fokus auf erneuerbare und saubere Energie sind Schlüsselfaktoren für diese Entwicklung der Energieinfrastruktur. onsemi bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Lösungen für die anspruchsvollen Anforderungen von Hochleistungsapplikationen, einschließlich Siliziumkarbid-Dioden (SiC), intelligenten Leistungsmodulen und Strommessverstärkern.