FDMC8200S

onsemi
512-FDMC8200S
FDMC8200S

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 819

Lagerbestand:
819
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
3 000
erwartet ab 17.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
45
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
1.06 CHF 1.06 CHF
0.671 CHF 6.71 CHF
0.444 CHF 44.40 CHF
0.348 CHF 174.00 CHF
0.303 CHF 303.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
0.282 CHF 846.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Power-33-8
N-Channel
2 Channel
30 V
18 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
7.5 nC, 15.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Dual
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 43 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: FDMC8200S
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Gewicht pro Stück: 186 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Thailand
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi / Fairchild PowerTrench® MOSFETs bieten ein umfangreiches Portfolio von MOSFETs in der Branche. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und p-Kanal-Versionen, die für eine niedrige RDS(ON)-Schaltleistung und Unempfindlichkeit optimiert sind. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Primärschalter, mobile Rechner, DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichter.  

FDMS36xxS Asymmetrische Dual-Leistungs-MOSFETs

Fairchild Semiconductor FDMS36xxS asymmetrische Leistungsstufen-Dual-MOSFET-Module bieten die höchste Ausgangsstromkapazität sämtlicher 5mm x 6mm Dual-MOSFET-Lösungen, die auf dem Markt erhältlich sind. Fairchild FDMS36xxS asymmetrische Dual-MOSFETs integrieren ein Steuer- und Synchron-MOSFET sowie eine monolithische Schottky-Körperdiode in einem PQFN-Gehäuse. Der Schaltknotenpunkt wurde intern verbunden, um ein einfaches Platzieren und Routing der synchronen Abwärtswandler zu ermöglichen. Der Steuer-MOSFETs und Synchron-MOSFETs sind für eine optimale Energieeffizienz des Ausgabestroms bis zu 30A konzipiert. Diese Geräte von Fairchild Semiconductor erreichen branchenführende unter-2mO niedrige RDS (on) bei als Hochleistungs-Durchschlagspannungen bewerteten Computeranwendungen. FDMS36xxS MOSFETs sind dafür optimiert die Kombination von Leitungs- und Schaltverlusten von 300kHz bis 600kHz zu reduzieren und zuverlässige, hochleistungseffiziente Point-of-Load und Mehrphasen-Synchronauslesungen in DC-DC-Abwärtsanwendungen zu liefern.
Weitere Informationen