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CSD88539NDT

Name: Texas Instruments CSD88539NDT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88539NDT
Price: 1.45 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD88539NDT

Herst.- Nr.:

CSD88539NDT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88539ND

Datenblatt:

CSD88539NDT Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.45 CHF	1.45 CHF
	0.92 CHF	9.20 CHF
	0.532 CHF	53.20 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.532 CHF	133.00 CHF
	0.456 CHF	228.00 CHF
	0.411 CHF	411.00 CHF
	0.396 CHF	990.00 CHF
	0.394 CHF	1 970.00 CHF
	0.386 CHF	3 860.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD88539ND

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.28 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD88539ND

Beschreibung:

MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	11.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	7.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	CSD88539ND
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	74 mg