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CSD88539NDT

Name: Texas Instruments CSD88539NDT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88539NDT
Price: 1.24 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD88539NDT

Herst.- Nr.:

CSD88539NDT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88539ND

Datenblatt:

CSD88539NDT Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.24 CHF	1.24 CHF
	0.782 CHF	7.82 CHF
	0.451 CHF	45.10 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.451 CHF	112.75 CHF
	0.386 CHF	193.00 CHF
	0.347 CHF	347.00 CHF
	0.334 CHF	835.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD88539ND

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.06 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD88539ND

Beschreibung:

MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	11.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	7.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	CSD88539ND
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	74 mg