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CSD88539ND

Name: Texas Instruments CSD88539ND
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88539ND
Price: 1.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD88539ND

Herst.- Nr.:

CSD88539ND

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT

Datenblatt:

CSD88539ND Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.28 CHF	1.28 CHF
	0.817 CHF	8.17 CHF
	0.539 CHF	53.90 CHF
	0.423 CHF	211.50 CHF
	0.386 CHF	386.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.345 CHF	862.50 CHF
	0.324 CHF	1 620.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD88539NDT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.45 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD88539NDT

Beschreibung:

MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88539ND

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	7.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	CSD88539ND
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	74 mg

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Models

CSD88539ND Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

Technical Resources

CSD88539ND TINA-TI Reference Design

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.