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CSD83325LT

Name: Texas Instruments CSD83325LT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD83325LT
Price: 1.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD83325LT

Herst.- Nr.:

CSD83325LT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

Datenblatt:

CSD83325LT Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.57	CHF 1.57
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	CHF 0.666	CHF 66.60
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.666	CHF 166.50
	CHF 0.546	CHF 273.00
	CHF 0.478	CHF 478.00
	CHF 0.439	CHF 1 097.50
	CHF 0.398	CHF 1 990.00
	CHF 0.396	CHF 3 960.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD83325L

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.37

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD83325L

Beschreibung:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	BGA-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	8.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	589 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	36 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	353 ns
Serie:	CSD83325L
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	711 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	205 ns
Gewicht pro Stück:	1.500 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.