CSD83325L

Texas Instruments
595-CSD83325L
CSD83325L

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT

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Gurtabschnitt / MouseReel™
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CHF 0.235 CHF 2.35
CHF 0.189 CHF 18.90
CHF 0.181 CHF 90.50
CHF 0.173 CHF 173.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.163 CHF 489.00
CHF 0.155 CHF 930.00
CHF 0.149 CHF 1 341.00
CHF 0.148 CHF 3 552.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-6
N-Channel
2 Channel
12 V
8 A
11.9 mOhms
- 10 V, 10 V
750 mV
10.9 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 589 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 36 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 353 ns
Serie: CSD83325L
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 711 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 205 ns
Gewicht pro Stück: 1.500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
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JPHTS:
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TARIC:
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ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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