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STGD6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD6M65DF2
Price: 1.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGD6M65DF2

Herst.- Nr.:

STGD6M65DF2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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Datenblatt:

STGD6M65DF2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.36 CHF	1.36 CHF
	0.864 CHF	8.64 CHF
	0.576 CHF	57.60 CHF
	0.454 CHF	227.00 CHF
	0.414 CHF	414.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.371 CHF	927.50 CHF
	0.354 CHF	1 770.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	12 A
Pd - Verlustleistung:	88 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGD6M65DF2
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	12 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 uA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STGD6M65DF2 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

650V M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der M-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Die 650V M-Serie liefert maximal 3A-150A Kollektorstrom für Anwendungen mit bis zu 100kHz Betriebsfrequenz. Sie haben ein optimiertes Design und sind in einer individuellen integrierten antiparallelen Diode erhältlich.
Weitere Informationen

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.