TP65H035WSQA

Renesas Electronics
227-TP65H035WSQA
TP65H035WSQA

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 650V, 35mOhm

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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Renesas Electronics
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
3.4 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
AEC-Q101
Marke: Renesas Electronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 12 ns
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 14 ns
Serie: TP65H
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Regelabschaltverzögerungszeit: 98 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 69 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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