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TP65H035G4WSQA

Name: Renesas Electronics TP65H035G4WSQA
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H035G4WSQA
Price: 15.88 CHF
Availability: LimitedAvailability

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H035G4WSQA

Herst.- Nr.:

TP65H035G4WSQA

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247

Lebenszyklus:

Beschränkte Verfügbarkeit:

Diese Teilenummer ist derzeit nicht bei Mouser erhältlich. Das Produkt wird eventuell eingeschränkt vertrieben oder es handelt sich um eine Sonderbestellung ab Werk.

Datenblatt:

TP65H035G4WSQA Datenblatt

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	15.88 CHF	15.88 CHF
	12.58 CHF	125.80 CHF
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	47.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	187 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Abfallzeit:	10 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	94 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	60 ns

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Datenblatt

TP65H035G4WSQA Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs

Renesas Electronics Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs are normally-off devices that offer superior reliability and performance. The devices combine state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies. The series offers improved efficiency over silicon through lower gate charge and crossover loss, and smaller reverse recovery charge. Renesas Electronics Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs are ideal for automotive, datacom, PV inverters, and industrial applications.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

TP65H035G4WSQA 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H035G4WSQA 650V SuperGaN® FET is a normally-off device using Renesas Electronics's Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET. The device offers superior reliability and performance, and with the SuperGaN® platform, it uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. This improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.