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ISC073N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC073N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC073N12LM6ATMA
Price: 2.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC073N12LM6ATMA

Herst.- Nr.:

ISC073N12LM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Datenblatt:

ISC073N12LM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.75 CHF	2.75 CHF
	1.79 CHF	17.90 CHF
	1.24 CHF	124.00 CHF
	1.00 CHF	500.00 CHF
	0.996 CHF	996.00 CHF
	0.95 CHF	2 375.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.92 CHF	4 600.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	86 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	14.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	ISC073N12LM6 SP005586060

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Datenblatt

ISC073N12LM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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