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ISC030N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC030N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC030N12NM6ATMA
Price: 5.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC030N12NM6ATMA

Herst.- Nr.:

ISC030N12NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Datenblatt:

ISC030N12NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	3.53 CHF	35.30 CHF
	2.30 CHF	230.00 CHF
	2.05 CHF	1 025.00 CHF
	1.84 CHF	1 840.00 CHF
	1.81 CHF	4 525.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	1.81 CHF	9 050.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	194 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	59 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Abfallzeit:	8.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	55 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.6 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	ISC030N12NM6 SP005578327

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Datenblatt

ISC030N12NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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